Radio Club 't Gooi – Veron afdeling 15
RSS icon
  • Toekomstige IC’s sneller en zuiniger zonder silicium

    Gepost op 9 december 2010 | 07:10 PA1JIM Geen reacties

    Een onderzoeksteam van het Berkeley Lab en de University of California heeft een nanotransistor gemaakt door ultradunne lagen van het halfgeleidermateriaal indiumarsenide op een siliciumsubstraat aan te brengen. Hierdoor wordt het mogelijk om met bestaande fabricageprocessen IC’s te produceren die sneller en zuiniger zijn dan de huidige IC’s. Daarnaast kunnen met de nieuwe technologie bijvoorbeeld zowel PNP- als NPN-transistoren op dezelfde chip worden aangebracht. Ook verwachten de onderzoekers verbeterde fotodiodes, lasers en LED’s op een ‘normaal’ siliciumsubstraat te kunnen aanbrengen.

    Het direct aanbrengen van indiumarsenide op silicium door epitaxiale groei is gecompliceerd doordat de kristalstructuren van deze materialen sterk verschillen. Bij de nieuwe technologie wordt uitgegaan van dunne lagen (10 tot 100 nanometer dik) van zuiver indiumarsenide, die eerst op een tijdelijk substraat worden aangebracht. Vervolgens worden uit de lagen indiumarsenide met behulp van lithografische technieken nanostroken gevormd. Deze stroken worden van het tijdelijke substraat afgehaald door dit substraat gedeeltelijk op te lossen. Vervolgens worden de stroken op het uiteindelijke siliciumsubstraat aangebracht.

    De resultaten van het onderzoek werden onlangs gepubliceerd in het tijdschrift Nature.

    Meer info:
    http://newscenter.lbl.gov/feature-stories/2010/11/22/ultrathin-alternative-to-silicon/

    Bron: Elektor

    Plaats een reactie